（原标题：ASML炒股配资网选，暴跌9000亿）
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来源：内容 编译自 CNBC 。
受对华出口限制和美国关税不确定性影响，ASML 市值在不到一年时间里蒸发逾 1300 亿美元（约9365亿人民币）。
据标普 Capital IQ 数据显示，ASML 被视为半导体供应链中的关键一环，其股价去年 7 月创下每股逾 1000 欧元的历史新高，市值达到 4295 亿美元。但截至周二收盘，ASML 市值已跌至略低于 2970 亿美元。
自去年以来，由于美国加强对华芯片出口限制，以及美国总统唐纳德·特朗普上任以来威胁对半导体行业征收关税，半导体类股一直波动剧烈。ASML 和其他欧洲半导体公司都感受到了压力。
ODDO BHF 股票研究主管 Stephane Houri 周三在 CNBC 的“欧洲早间版”节目中表示：“该领域所有设备制造商的股价都下跌了，因为他们把所有的担忧都集中在……美国对中国的限制上。”
Houri 还表示，关税讨论以及关于企业是否在人工智能领域过度投资的争论，引发了人们对“需求是否未达到许多人预期的水平”的质疑。
ASML 是半导体供应链中最重要的公司之一。它设计的极紫外光刻 (EUV) 设备被台积电等制造商采购，用于制造世界上最先进的芯片。
该公司最近开始出货下一代高数值孔径 (High NA) 设备。
普遍认为，ASML 是全球唯一一家能够生产此类 EUV 光刻机的公司，这为其提供了宽阔的护城河。
然而，ASML 从未能够将其最先进的光刻机运往中国，这削弱了这家荷兰公司的潜在销售。ASML 首席执行官 Christophe Fouquet 今年 1 月接受 CNBC 采访时表示，他预计 2025 年“我们在华业务占比将低于 2023 年和 2024 年的水平”。
ASML 并非唯一一家面临关税和中国挑战的公司。全球芯片股都感受到了与中国和关税相关的全球市场不确定性的压力。
美欧达成贸易和关税协议可能会为投资者消除一些不确定性。
“如果最终与特朗普总统以及……欧洲和许多其他国家达成协议，他们可能会受益于市场，尤其是芯片行业的复苏，”Houri 补充道。
尽管外部压力令 ASML 承压，但分析师仍相对看好该股。根据伦敦证券交易所 (LSEG) 统计的分析师电话会议平均值，ASML 的目标价略高于 779 欧元。这意味着较周二收盘价上涨约 17%。
本月，富国银行 (Wells Fargo) 在与 ASML 管理层会面后发布了一份客户报告。该投行分析师表示，ASML 在 2025 年和 2026 年“仍对增长机会持乐观态度”，并特别提到了三星和英特尔等正在投资下一代芯片制造工具的公司。
台积电重申，1.4nm不用High NA
台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其长期以来对下一代高NA EUV光刻设备的立场。该公司的下一代工艺技术，包括A16（1.6纳米级）和A14（1.4纳米级）工艺技术，不需要这些最高端的光刻系统。因此，台积电不会在这些节点上采用高NA EUV设备。
“人们似乎总是对台积电何时会使用高数值孔径 (High-NA) 感兴趣，我认为我们的答案很简单，”台积电副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁张凯文 (Kevin Zhang) 在活动上表示。“只要我们发现高数值孔径 (High-NA) 能够带来有意义的、可衡量的效益，我们就会采用。对于 A14 来说，我之前提到的性能提升在不使用高数值孔径的情况下也非常显著。因此，我们的技术团队正在持续寻找延长现有 EUV 寿命的方法，同时获得微缩优势。”
台积电的 A14 工艺基于其第二代纳米片环栅晶体管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor)，以及全新的标准单元架构。据台积电称，A14 在相同功率和复杂度下性能提升高达 15%，或在相同频率下功耗降低 25% 至 30%。在晶体管密度方面，A14 在混合逻辑/SRAM/模拟配置下较 N2 提升 20%，在纯逻辑配置下提升高达 23%。
这种性能、功率和晶体管密度的提升代表了所谓的“全节点优势”，然而，台积电并不需要下一代高NA EUV光刻工具，就能在其 A16 和 A14 工艺技术上生产出具有可预测产量和所需性能及功率特性的芯片。需要记住的是，台积电的 A16 本质上是带有超级电源轨 (SPR) 背面供电网络的N2P 。 由于台积电不需要用于 N2 和 N2P 的高NA EUV 工具，因此 A16 也不需要它们。相比之下，A14 是一个全新的节点，将于 2028 年投入量产，因此台积电不需要高NA这一事实非常引人注目。
当被问及 A14 是否严重依赖多重图案化时，张回答说他无法评论具体细节，但表示台积电的技术团队已经找到了一种在 1.4nm 节点上生产芯片的方法，而无需使用High NA EUV 工具，该工具可提供 8nm 分辨率，而Low NA EUV 系统的分辨率为 13.5nm。
“这是我们技术团队的一项伟大创新，”张教授说道。“只要他们继续寻找方法，显然我们就不必使用高数值孔径EUV。最终，我们会在某个时候使用它。只是我们需要找到一个合适的拦截点，提供最大的效益，实现最大的投资回报。”
值得注意的是，台积电的 A14 将于 2029 年被采用 SPR 背面供电技术的 A14 所取代，而且看起来台积电在这次迭代中也不需要High NA EUV 设备。因此，与英特尔不同，台积电似乎至少在 2027 年至 2028 年间开始使用其14A 制造技术的下一代 EUV 光刻机来减少 EUV 曝光次数（即多重曝光）和工艺步骤，而英特尔则至少在 2030 年甚至更晚之前没有计划在量产中使用High NA EUV。
https://www.cnbc.com/2025/05/28/asml-shares-china-and-tariffs-have-wiped-off-130-billion-of-value.html
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